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KM48S8020BT-GL

更新时间： 2024-11-02 21:21:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	122K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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KM48S8020BT-GL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.91	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM48S8020BT-GL 数据手册

KM48S8020B

CMOS SDRAM

Revision History

Revision .3(November 1997)

- tRDL has changed 10ns to 12ns.

- Binning -10 does not meet PC100 characteristics .

So AC parameter/Characteristics have changed to 64M 2nd values.

Revision .4 (February 1998)

- Input leakage Currents (Inputs / DQ) are changed.

IIL(Inputs) : ± 5uA to ± 1uA, IIL(DQ) : ± 5uA to ± 1.5uA.

- The measuring condition of tR/tF is clearly defined each as

0pF +50W to VSS/VDD, 50pF +50W to VSS/VDD

- Cin to be measured at VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV.

- AC Operating Condition is changed as defined :

VIH(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.

VIL(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

- ICC3PS is changed 1mA to 2mA.

- ICC6 for Low power is changed 400uA to 450uA.

Revision .5 (March 1998)

- ICC2N, ICC2NS, ICC3N & ICC3NS values are changed.

Revision .6 (June 1998)

- tSH (-10 binning) is revised.

Revision .7 (July 1998)

- Simplified Truth Table is revised.

REV .7 July 1998

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM48S8030AT-G10ES	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54
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