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KM48C512DT-5 PDF预览

KM48C512DT-5

更新时间： 2024-10-01 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 365K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

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KM48C512DT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP28,.46
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.89访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP28,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.085 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM48C512DT-5 数据手册

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KM48C512D, KM48V512D  
CMOS DRAM  
512K x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 524,288 x 8 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Power supply voltage(+5.0V or +3.3V), Access time(-5,-6,-7), power consumption(Normal or Low power) and  
package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and  
Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 512Kx8 Fast Page Mode DRAM family is  
fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
It may be used as main memory unit for microcomputer, personal computer and portable machines.  
•
•
•
Fast Page Mode operation  
Byte Read/Write operation  
FEATURES  
CAS-before-RAS refresh capability  
•
Part Identification  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- KM48C512D/DL (5V, 1K Ref.)  
- KM48V512D/DL (3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
•
Active Power Dissipation  
•
•
JEDEC Standard pinout  
Unit : mW  
5V (1K Ref.)  
Available in 28-pin SOJ 400mil & TSOP(II) 400mil  
packages  
Speed  
-5  
3.3V (1K Ref.)  
-
470  
385  
360  
• Dual +5V±10% power supply(5V product)  
• Dual +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)  
-6  
255  
235  
-7  
•
Refresh Cycles  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Part  
VCC  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
NO.  
RAS  
CAS  
W
Normal  
L-ver  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
C512D  
5V  
VBB Generator  
1K  
16ms  
128ms  
V512D 3.3V  
Data in  
Buffer  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
•
Performance Range  
Speed  
Remark  
5V Only  
5V/3.3V  
5V/3.3V  
tRAC  
50ns  
60ns  
70ns  
tCAC  
tRC  
tPC  
35ns  
DQ0  
to  
DQ7  
Memory Array  
524,288 x8  
Cells  
-5  
-6  
-7  
15ns  
90ns  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
15ns 110ns 40ns  
20ns 130ns 45ns  
A0 - A9  
A0 - A8  
Data out  
Buffer  
Column Decoder  
OE  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...20

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与KM48C512DT-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM48C512DT-L6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28
KM48C512J-8 SAMSUNG

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