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KM48C124DJ-L7

更新时间: 2024-02-26 20:55:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 1255K
描述
EDO DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24

KM48C124DJ-L7 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:24字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
自我刷新:YES最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.075 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM48C124DJ-L7 数据手册

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