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KM44V4104AK-8

更新时间： 2024-01-20 07:22:06

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	313K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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KM44V4104AK-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.145 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44V4104ALS-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44V4104ASLJ-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
KM44V4104ASLS-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44V4104ASLSR-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
KM44V4104ASR-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
KM44V4104AT-8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
KM44V4104BK-8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V4104BS-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, TSOP2-24
KM44V4104CK-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44V4104CK-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24