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KM44L64331AT-F0

更新时间： 2024-11-26 15:46:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	743K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66

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KM44L64331AT-F0 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.8
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.025 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

KM44L64331AT-F0 数据手册

256Mb DDR SDRAM

Target

DDR SDRAM Specification

Version 0.4

- 1 of 60 -

REV. 0.4 July 1. '99

12 3 4 5 6 7...49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM44L64331AT-FY	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
KM44L64331AT-FY0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
KM44L64331AT-FZ	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KM44L64331AT-FZ0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
KM44L64331AT-G0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-6
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KM44L64331AT-GZ	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-