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KM44S16020BT-GH

更新时间： 2024-11-26 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	123K
描述
Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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KM44S16020BT-GH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

KM44S16020BT-GH 数据手册

KM44S16020B

CMOS SDRAM

Revision History

Revision .3(November 1997)

- tRDL has changed 10ns to 12ns.

- Binning -10 does not meet PC100 characteristics .

So AC parameter/Characteristics have changed to 64M 2nd values.

Revision .4 (February 1998)

- Input leakage Currents (Inputs / DQ) are changed.

IIL(Inputs) : ± 5uA to ± 1uA, IIL(DQ) : ± 5uA to ± 1.5uA.

- The measuring condition of tR/tF is clearly defined each as

0pF +50W to VSS/VDD, 50pF +50W to VSS/VDD

- Cin to be measured at VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV.

- AC Operating Condition is changed as defined :

VIH(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.

VIL(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

- ICC3PS is changed 1mA to 2mA.

- ICC6 for Low power is changed 400uA to 450uA.

Revision .5 (March 1998)

- ICC2N, ICC2NS, ICC3N & ICC3NS values are changed.

Revision .6 (June 1998)

- tSH (-10 binning) is revised.

REV. 6 June '98

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