Datasheet > KM44C4110ASR-7

KM44C4110ASR-7

更新时间： 2024-11-26 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	258K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM44C4110ASR-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-R, TSOP24/26,.36
针数：	26	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.56	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44C4110J-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-28/24
KM44C4112J-7	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44C4112T-8	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24
KM44C4112TR-6	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, REVERSE, TSOP2-24
KM44C4112TR-7	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, REVERSE, TSOP2-24
KM44L16031BT-GFZ/Y/0	SAMSUNG	获取价格	DDR SDRAM Specification Version 0.61
KM44L32031BT-F0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-6
KM44L32031BT-F00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66
KM44L32031BT-FY	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
KM44L32031BT-FY0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, TSOP2-66