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KM416V1004ATR-8

更新时间： 2024-11-09 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	288K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

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KM416V1004ATR-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416V1004ATR-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
KM416V1004ATR-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
KM416V1004ATR-L8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
KM416V1004BT-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
KM416V1004C	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V1004C-45	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V1004C-5	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V1004C-6	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V1004CJ-45	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
KM416V1004CJ-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42