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KM416RD8AS-RM80

更新时间: 2024-10-01 21:11:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 3829K
描述
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, CBGA54, MICRO, BGA-54

KM416RD8AS-RM80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LBGA, BGA54,7X9,50
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最大时钟频率 (fCLK):800 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CBGA-B54JESD-609代码:e0
长度:12 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA54,7X9,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:16384座面最大高度:1.25 mm
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.8 mm
Base Number Matches:1

KM416RD8AS-RM80 数据手册

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Target  
Direct RDRAM  
KM416RD8AS  
128Mbit RDRAM  
256K x 16 bit x 2*16 Dependent Banks  
for Consumer Package  
Direct RDRAMTM  
Revision 0.9  
July 1999  
Rev. 0.9 July 1999  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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