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KM416RD8C-SM80

更新时间： 2024-01-03 03:59:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	3807K
描述
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, CSP, MICRO, BGA-62

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KM416RD8C-SM80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA62,12X9,40/32
针数：	62	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性：	SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B62
JESD-609代码：	e0	长度：	13.15 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	62
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA62,12X9,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	16384
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.5 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

Direct RDRAM

™

KM416RD8C/KM418RD8C

128/144Mbit RDRAM

256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks

Direct RDRAM^TM

Revision 0.9

April 1999

Rev. 0.9 Apr. 1999

12 3 4 5 6 7...64

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416RD8D	SAMSUNG	获取价格	128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM416S1020CT-F10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50
KM416S1020CT-G10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50
KM416S1021C	SAMSUNG	获取价格	512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface
KM416S1021CT-G7	SAMSUNG	获取价格	512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface
KM416S1021CT-G8	SAMSUNG	获取价格	512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface
KM416S1021CT-GS	SAMSUNG	获取价格	512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface
KM416S1120D	SAMSUNG	获取价格	512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S1120DT-F7	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50
KM416S1120DT-F8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50