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KM416C256ALLZ-8

更新时间： 2024-02-15 02:45:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	65K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40

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KM416C256ALLZ-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP40,.1	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PZIP-T40
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP40,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	12.06 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.96 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416C256BJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C256BJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C256BJ-L5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C256BLJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
KM416C256BLT-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM416C256BT-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40
KM416C256BT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40
KM416C256BT-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM416C256BT-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40
KM416C256D	SAMSUNG	获取价格	256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode