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KM416C157BLT-7

更新时间： 2024-02-22 06:25:02

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	652K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-40

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KM416C157BLT-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416C157BTR-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-40
KM416C254BJ-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C254BJ-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C254BJ-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
KM416C254BT-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40
KM416C254D	SAMSUNG	获取价格	256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416C254DJ-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, SOJ-40
KM416C254DLJ-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, SOJ-40
KM416C254DLT-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40
KM416C254DT-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40