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KM23V128005TY-12

更新时间： 2024-01-07 00:45:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 87K
描述
MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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KM23V128005TY-12 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.29
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：16.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：12 mmBase Number Matches：1

KM23V128005TY-12 数据手册

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KM23V128005TY  
CMOS MASK ROM  
128M-Bit (16Mx8 /8Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
The KM23V128005TY is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 16,777,216 x 8 bit(byte mode) or as  
8,388,608 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
16,777,216 x 8(byte mode)  
8,388,608 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access Time/Page Access Time  
3.3V Operation : 100/30ns(Max.)  
3.0V Operation : 120/40ns(Max.)  
8 Words / 16 Bytes page access  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words (or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A22 should not be changed.  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 80/70mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The KM23V128005TY is packaged in a 48-TSOP1.  
KM23V128005TY : 48-TSOP1-1218  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
A22  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
A3 - A22  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Data Outputs  
.
.
.
.
.
.
.
.
(8,388,608x16/  
16,777,216x8)  
DECODER  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
OE  
DATA OUT  
BUFFERS  
VCC  
Vss  
DECODER  
A3  
A0~A2  
A-1  
Ground  
.
.
.
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
BHE  
12345

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与KM23V128005TY-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23V128205SG SAMSUNG

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO70, 0.500 INCH, SSOP-70
KM23V16000A-35 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX8, 350ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
KM23V16000AG-20 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 200ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44
KM23V16000CET SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16000CET-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16000CG-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOP-44
KM23V16000CT SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16000CT-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16000CT-15 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16000D SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM

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