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Datasheet > KM23V16000DT-10
KM23V16000DT-10 PDF预览

KM23V16000DT-10

更新时间： 2024-11-11 20:11:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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KM23V16000DT-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.62最长访问时间：100 ns
其他特性：IT CAN ALSO OPERATE AT 3.3V VCC备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00003 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM23V16000DT-10 数据手册

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KM23V16000DT  
CMOS MASK ROM  
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The KM23V16000DT is a fully static mask programmable ROM  
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is  
organized either as 2,097,152x8 bit(byte mode) or as  
1,048,576x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
· Switchable organization  
2,097,152 x 8(byte mode)  
1,048,576 x 16(word mode)  
· Fast access time : 100ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
Operating : 40mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Package  
-. KM23V16000DT : 44-TSOP2-400  
The KM23V16000DT is packaged in a 44-TSOP2.  
PIN CONFIGURATION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A19  
N.C  
A18  
A17  
A7  
N.C  
A19  
A8  
X
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
MEMORY CELL  
MATRIX  
(1,048,576x16/  
2,097,152x8)  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
3
4
A9  
A6  
A10  
A11  
A12  
5
A5  
6
A4  
7
Y
A3  
8
37 A13  
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
A14  
36  
A2  
9
DATA OUT  
BUFFERS  
A1  
A15  
35  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A0  
A16  
A0  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
TSOP2  
BHE  
VSS  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
A-1  
.
.
.
Q15/A-1  
Q7  
Q8  
CE  
OE  
Q14  
Q6  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
Q1  
CONTROL  
LOGIC  
Q9  
Q13  
Q5  
Q2 19  
BHE  
Q10 20  
25 Q12  
Q4  
24  
Q3  
21  
22  
Q11  
VCC  
23  
Pin Name  
A0 - A19  
Pin Function  
Address Inputs  
Q0 - Q14  
Data Outputs  
KM23V16000DT  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
Ground  
No Connection  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23V16000DT-12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V16005BG-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX8, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V16005BG-12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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 		MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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 		MASK ROM, 2MX8, 350ns, CMOS, PDIP36, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-36
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 		MASK ROM, 2MX8, 350ns, CMOS, PDIP36, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-36
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 		MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO70, 0.500 INCH, SSOP-70
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 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDSO70, 0.500 INCH, SSOP-70
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