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KFG1216U2A-DED50

更新时间： 2024-01-02 19:58:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
114页	1382K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

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KFG1216U2A-DED50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	76 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	9.5 mm

KFG1216U2A-DED50 数据手册

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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB6)

FLASH MEMORY

1.5

Product Features

Device Architecture

90nm

• Design Technology:

1.8V (1.7V ~ 1.95V), 2.65V (2.4 ~ 2.9V), 3.3V (2.7 ~3.6V)

16 bit

• Supply Voltage:

• Host Interface:

1KB BootRAM, 4KB DataRAM

(2K+64)B Page Size, (128K+4K)B Block Size

• 5KB Internal BufferRAM:

• SLC NAND Array:

Device Performance

Synchronous Burst Read

• Host Interface Type:

- Up to 66MHz clock frequency

- Linear Burst 4-, 8-, 16, 32-words with wrap around

- Continuous 1K word Sequential Burst

Asynchronous Random Read

- 76ns access time

Asynchronous Random Write

Latency 3(up to 40MHz), 4, 5, 6, and 7

Up to 4 sectors using Sector Count Register

Cold/Warm/Hot/NAND Flash Resets

up to 64 blocks

• Programmable Burst Read Latency

• Multiple Sector Read:

• Multiple Reset Modes:

• Multi Block Erase:

Typical Power,

• Low Power Dissipation:

- Standby current :

10uA@1.8Vdevice,

35uA@2.65V/3.3V device

- Synchronous Burst Read current : 15mA@1.8Vdevice

25mA@2.65V/3.3V device

- Load current :

30mA@all device

- Program current :

25mA@1.8v device

28mA@2.65V/3.3V device

20mA@1.8V device

- Erase current :

23mA@2.65V/3.3V device

20mA@1.8V device

- Multi Block Erase current :

23mA@2.65V/3.3V device

System Hardware

• Voltage detector generating internal reset signal from Vcc

• Hardware reset input (/RP)

- Write Protection for BootRAM

• Data Protection Modes

- Write Protection for NAND Flash Array

- Write Protection during power-up

- Write Protection during power-down

• User-controlled One Time Programmable(OTP) area

• Internal 2bit EDC / 1bit ECC

• Internal Bootloader supports Booting Solution in system

- INT pin indicates Ready / Busy

• Handshaking Feature

- Polling the interrupt register status bit

- by ID register

• Detailed chip information

63ball, 9.5mm x 12mm x max 1.0mmt , 0.8mm ball pitch FBGA

Packaging

1...4 5 678 9 10...114

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