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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.82 | 最长访问时间： | 76 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 9.5 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KFG1216U2A-DED6 | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-DED60 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| KFG1216U2A-DIB5 | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-DIB5T | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 14.5ns, PBGA63, |
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| KFG1216U2A-DIB6 | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-DIB60 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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