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KFG1216U2A-DED50

更新时间： 2024-01-12 00:07:53

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
114页	1382K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

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KFG1216U2A-DED50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	76 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	9.5 mm

KFG1216U2A-DED50 数据手册

OneNAND512(KFG1216x2A-xxB6)

1.1 Revision History

FLASH MEMORY

Document Title

OneNAND

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Nov. 4, 2004

Preliminary

0.1

1. Corrected Errata

Dec. 7, 2004

Preliminary

2. Revised cache read flow chart

3. Revised standby current

4. Revised spare area description

5. Added CE don’t care state for Asynch Write, Load, Program, and Block

Erase timing diagram

0.2

0.3

1. Added Copy Back Operation with Random Data Input

2. Changed tBA from 11ns to 11.5ns

3. Pended Active Erase Current

Dec. 24, 2004

Jan. 13, 2005

Preliminary

1. Corrected the errata

2. Revised typical value of ISB from 50uA to 10uA

3. Revised maximum value of ISB from 100uA to 50uA

4. Revised maximum value of tCE, tAA and tACC from 70ns to 76ns

5. Revised Vcc-IO description

6. Revised Spare Area description

7. Added extra information on Controller Status Register

8. Added commands related to Interrupt Status Register bits

9. Revised Write Protection Status on Chapter 3.4.3

10. Revised Copy-Back Program Operation description

11. Added extra information on Multi-Block Erase Operation

12. Disabled FBA restriction in OTP operation

13. Revised Cache Read Flow Chart

14. Revised Reset Parameter descriptions

15. Added RDY information on Warm Reset Timing diagram

16. Added information on Data Protection Timing During Power Down

17. Revised Interrupt pin rise and falling slope graph

18. Added restriction on address register setting on Dual Operations

19. Added restriction on address register setting on Cache Read Operation

0.4

1. Corrected the errata

Feb. 25, 2005

Preliminary

2. Updated DC parameters to RMS values

3. Added Speed Information on Product Number

4. Revised tOEZ description

5. Revised OTP register setting restriction

6. Added Boot Sequence Infrormation on Technical Notes

7. Added Cint Information

1 234 5 6 7...114

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