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KFG1216U2A-DED50

更新时间： 2024-01-11 05:51:01

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
114页	1382K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

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KFG1216U2A-DED50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	76 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	9.5 mm

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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB6)

FLASH MEMORY

Block 512

Reservoir

Partition 6

Partition 5

Sector 0 Sector 1 Sector 2 Sector 3

File System

Page 63

Page 62

Block 162

Os Image

NBBLL33

Partition 4

Partition 3

Block 2

Block 1

Block 0

Page 2

Page 1

Page 0

NBBLL11

NBBLL22

BL1

Partition of NAND Flash array

Reservoir

File System

Os Image

step 3

Data Ram 1

Data Ram 0

Os Image

BL 2

Boot Ram(BL 1)

BL1

BL2

step 2

step 1

NAND Flash Array

Internal BufferRAM

OneNAND

DRAM

NOTE:

Step 2 and Step 3 can be copied into DRAM through two DataRAMs using dual buffering

OneNAND Boot Sequence

113

1...110 111 112113114

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