5秒后页面跳转
KBU12 PDF预览

KBU12

更新时间: 2024-01-17 13:59:14
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC /
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

KBU12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.58
Is Samacsys:N配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-W4最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最大输出电流:8.4 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

KBU12 数据手册

 浏览型号KBU12的Datasheet PDF文件第2页 
KBU 12A … KBU 12M  
Silicon-Bridge Rectifiers  
Silizium-Brückengleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
12 A  
Alternating input voltage  
35…700 V  
Eingangswechselspannung  
Plastic case  
23.5 x 5.7 x 19.3 [mm]  
8 g  
Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging: bulk  
see page 22  
s. Seite 22  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Dimensions / Maße in mm  
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067  
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067  
Maximum ratings  
Type  
Typ  
Grenzwerte  
Repetitive peak reverse voltage  
max. alternating input voltage  
max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung  
VVRMS [V]  
35  
VRRM [V] 1)  
50  
KBU 12A  
KBU 12B  
KBU 12D  
KBU 12G  
KBU 12J  
KBU 12K  
KBU 12M  
70  
140  
280  
420  
560  
700  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Repetitive peak fwd. current – Period. Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
IFRM  
IFSM  
60 A 2)  
300 A  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
TA = 25C  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
TA = 25C  
i2t  
375 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+150C  
Admissible torque for mounting  
Zulässiges Anzugsdrehmoment  
M 4  
9 ± 10% lb.in.  
1 ± 10% Nm  
1
)
)
Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
1
18.02.2003  

与KBU12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU12A DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12A SEMIKRON

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 50V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT,
KBU12A_07 DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge-Rectifiers
KBU12A_10 DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge-Rectifiers
KBU12B DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12D SEMIKRON

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 200V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT
KBU12D DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12G DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12G SEMIKRON

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 400V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT
KBU12J DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers