5秒后页面跳转
KBU12J PDF预览

KBU12J

更新时间: 2024-02-09 22:52:44
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4

KBU12J 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:23.50 X 5.70 MM, 19.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:8.58其他特性:UL RECOGNIZED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDIP-W4湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

KBU12J 数据手册

 浏览型号KBU12J的Datasheet PDF文件第2页 
KBU 12A ... KBU 12M  
Silicon-Bridge Rectifiers  
Silizium-Brückengleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
12.0 A  
Alternating input voltage  
Eingangswechselspannung  
35…700 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
23.5 x 7 x 19.3 [mm]  
8 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Dimensions / Maße in mm  
Standard packaging: bulk  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Alternating input volt. Rep. peak reverse volt.1)  
Surge peak reverse volt.1)  
Eingangswechselspg. Period. Spitzensperrspg.1) Stoßspitzensperrspanng.1)  
VVRMS [V]  
35  
VRRM [V]  
50  
VRSM [V]  
80  
KBU 12A  
KBU 12B  
KBU 12D  
KBU 12G  
KBU 12J  
KBU 12K  
KBU 12M  
70  
140  
280  
420  
560  
700  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
130  
250  
450  
700  
1000  
1200  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25/C  
TA = 25/C  
IFRM  
60 A 2)  
300 A  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
IFSM  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
i2t  
375 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150/C  
TS – 50…+150/C  
Admissible torque for mounting  
Zulässiges Anzugsdrehmoment  
M 4  
9 ± 10% lb.in.  
1 ± 10% Nm  
1
)
)
Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
334  
01.04.2000  

与KBU12J相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU12K DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12K SEMIKRON

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT
KBU12M DIOTEC

获取价格

Silicon-Bridge Rectifiers
KBU12M SEMIKRON

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 1000V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGH
KBU15005 HY

获取价格

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBU15005 YANGJIE

获取价格

SINGLE PHASE 10/15/25/35AMPS. SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBU15005 CHENG-YI

获取价格

SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBU15005 RFE

获取价格

BRIDGE RECTIFIERS 10 Amps
KBU15005_V01 CHENG-YI

获取价格

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBU15005G HY

获取价格

GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS