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KBU12D

更新时间： 2024-02-04 06:05:12

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		IOT 光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	91K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 200V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4

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技术参数
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KBU12D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	8.4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

KBU12D 数据手册

KBU 12A ... KBU 12M

Silicon-Bridge Rectifiers

Silizium-Brückengleichrichter

Nominal current – Nennstrom

12.0 A

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

35…700 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

23.5 x 7 x 19.3 [mm]

8 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Dimensions / Maße in mm

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Alternating input volt. Rep. peak reverse volt.¹)

Surge peak reverse volt.¹)

Eingangswechselspg. Period. Spitzensperrspg.¹) Stoßspitzensperrspanng.¹)

V_VRMS[V]

V_RRM[V]

V_RSM[V]

KBU 12A

KBU 12B

KBU 12D

KBU 12G

KBU 12J

KBU 12K

KBU 12M

140

280

420

560

700

100

200

400

600

800

1000

130

250

450

700

1000

1200

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25/C

I_FRM

60 A ²)

300 A

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

I_FSM

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

i²t

375 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150/C

T_S– 50…+150/C

Admissible torque for mounting

Zulässiges Anzugsdrehmoment

M 4

9 ± 10% lb.in.

1 ± 10% Nm

)

Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

334

01.04.2000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KBU12G	DIOTEC	Silicon-Bridge Rectifiers	获取价格
KBU12G	SEMIKRON	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 400V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT	获取价格
KBU12J	DIOTEC	Silicon-Bridge Rectifiers	获取价格
KBU12J	SEMIKRON	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT	获取价格
KBU12K	DIOTEC	Silicon-Bridge Rectifiers	获取价格
KBU12K	SEMIKRON	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT	获取价格