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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBPC1501-G
KBPC1501-G PDF预览

KBPC1501-G

更新时间： 2024-11-01 07:18:03
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBPC1501-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XUFM-D4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：100 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-XUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBPC1501-G 数据手册

 浏览型号KBPC1501-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBPC1501-G的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon Bridge Rectifiers  
KBPC10005-G Thru. KBPC5010-G Series  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 10/15/25/35/50A  
RoHS Device  
KBPC  
Features  
0.442(11.23)  
0.424(10.77)  
-Surge overload-240~500 Amperes peak  
0.921(23.40)  
0.882(22.40)  
-Low forward voltage drop  
0.94  
(2.4)  
-Electrically isolated base -2000 Volts  
diam  
0.035(0.90)  
0.028(0.70)  
0.254(6.45)  
0.242(6.15)  
-Materials used carries U/L recognition  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
Hole for  
No.8 screw  
193"(4.9)diam  
0.673(17.10)  
0.634(16.10)  
Mechanical Data  
-Polarit:As marked on Body  
-Mounting position:Any  
-Weight: 28.82grams  
0.673(17.10)  
0.634(16.10)  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
0.732(18.60)  
0.693(17.60)  
0.583(14.80)  
0.543(13.80)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBPC-G  
10005  
15005  
25005  
35005  
50005  
50  
KBPC-G KBPC-G KBPC-G KBPC-G KBPC-G KBPC-G  
Unit  
1001  
1501  
1002  
1502  
2502  
3502  
5002  
200  
1004  
1504  
2504  
3504  
5004  
400  
1006  
1506  
2506  
3506  
5006  
600  
1008  
1508  
2508  
3508  
5008  
800  
1010  
1510  
V
V
V
V
V
V
V
Symbol  
Parameter  
2501  
3501  
5001  
100  
2510  
3510  
5010  
1000  
700  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
RRM  
RMS  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
VDC  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Symbol  
KBPC10  
10  
KBPC15  
KBPC25  
25  
KBPC35  
KBPC50  
50  
Parameter  
Maximum Average Forward  
Rectified Output Current @Tc=55°C  
Unit  
I(AV)  
15  
35  
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
240  
300  
400  
400  
500  
A
Maximum Forward Voltage Drop Per Element  
at 5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak  
VF  
1.1  
V
Maximum Reverse Current at rate  
DC Blocking Voltage Per Element @ TJ=25°C  
μA  
IR  
10.0  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
T
J
TSTG  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR55  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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KBPC1501-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBPC1501T GENESIC

类似代替

 Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
KBPC1501T GENESIC

功能相似

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