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KBP06 PDF预览

KBP06

更新时间： 2024-02-05 23:20:54
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DAESAN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 234K
描述
CURRENT 2.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBP06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.14其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：600 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBP06 数据手册

 浏览型号KBP06的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 2.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 1000 Volts  
KBP005 THRU KBP10  
Features  
· Glass Passivated Die Construction  
· High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
· Low Reverse Leakage Current  
A
· Surge Overload Rating to 40A Peak  
· Ideal for Printed Circuit Board Applications  
· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0  
B
-
+
H
C
K B P  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
14.00  
10.50  
15.00  
4.70  
Max  
G
15.00  
11.50  
D
· Case: Molded Plastic  
B
· Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
· Polarity: As Marked on Body  
· Approx. Weight: 1.52 grams  
· Mounting Position: Any  
C
E
D
5.00  
4.00  
2.50  
E
3.50  
G
2.30  
H
0.70 Typical  
· Marking: Type Number  
All Dimens ions in mm  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
KBP  
005  
KBP  
01  
KBP  
02  
KBP  
04  
KBP  
06  
KBP  
08  
KBP  
Symbols  
Units  
10  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
RMM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
Volts  
R
RMS Reverse voltage  
V
R(RMS)  
280  
2.0  
Volts  
Average Rectified Output Current @ T  
C
=105  
Io  
Amps  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
8.3ms single half-sine-wave superimposed  
on rated load per element (JEDEC method)  
I
FSM  
40  
Amps  
V
FM  
1.1  
Volts  
μA  
pF  
Forward Voltage (per element)  
@ IF=2.0 A  
@ TC=25℃  
5.0  
Peak Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage  
I
RM  
@ TC=125℃  
500  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
C
j
20  
Typical Thermal Resistance,  
Junction to Case (Note 2)  
30  
℃/W  
RθJC  
T
STG  
j
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
℃
T
Notes:  
(1) Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 300 x 300 x 16mm aluminum plate heat sink.  
(2) Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
12

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