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K9NBG08U5A-PIB00

更新时间： 2024-01-19 17:10:08

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
50页	1231K
描述
Flash, 4GX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

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K9NBG08U5A-PIB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	内存密度：	34359738368 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	32K
端子数量：	48	字数：	4294967296 words
字数代码：	4000000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4GX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	Base Number Matches：	1

K9WAG08U1A

FLASH MEMORY

K9K8G08U0A K9NBG08U5A

K9XXG08UXA

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K9NBG08U5A-PIB0T	SAMSUNG	Flash, 4GX8, 45ns, PDSO48	获取价格
K9NBG08U5M-PCB00	SAMSUNG	Flash, 512MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LEAD FREE, TSOP1-48	获取价格
K9NBG08U5M-PIB0	SAMSUNG	Flash, 4GX8, 50ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48	获取价格
K9NCG08U5M	SAMSUNG	2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit / 8G x 8 Bit NAND Flash Memory	获取价格
K9NCG08U5M-P	SAMSUNG	2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit / 8G x 8 Bit NAND Flash Memory	获取价格
K9Q1G08V0A-SSB0	SAMSUNG	Flash Card, 128MX8, 45ns, SSFDC CARD-22	获取价格