是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 20 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 4K |
端子数量: | 48 | 字数: | 1073741824 words |
字数代码: | 1000000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1GX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小: | 4K words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 256K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F8G08U0M-PIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 | |
K9G4G08B0A | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A-I | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A-P | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08X0A | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G8G08B0A | SAMSUNG |
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1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9G8G08B0A-P | SAMSUNG |
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1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9G8G08U0A | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9G8G08U0A-I | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |