是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 20 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4K | 端子数量: | 48 |
字数: | 1073741824 words | 字数代码: | 1000000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1GX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小: | 4K words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.7 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 256K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F8G08B0M-PIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 | |
K9F8G08U0M-ICB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52 | |
K9F8G08U0M-IIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ULGA-52 | |
K9F8G08U0M-PCB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 | |
K9F8G08U0M-PCB0T | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 | |
K9F8G08U0M-PIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 20ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP-1 | |
K9G4G08B0A | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A | SAMSUNG |
获取价格 |
Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A-I | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY | |
K9G4G08U0A-P | SAMSUNG |
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Preliminary FLASH MEMORY |