Datasheet > K9F5608D0C-YIB0T

K9F5608D0C-YIB0T

更新时间： 2024-11-25 20:08:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	1068K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9F5608D0C-YIB0T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	48	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.65 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.65 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	Base Number Matches：	1

K9F5608D0C-YIB0T 数据手册

K9F5608Q0C

K9F5608D0C

K9F5608U0C

K9F5616Q0C

K9F5616D0C

K9F5616U0C

FLASH MEMORY

Document Title

32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Apr. 25th 2002

Advance

1.0

1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed.

(before) DNU --> (after) N.C

Dec.14th 2002

Preliminary

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 36)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 37)

4. Add the specification of Block Lock scheme.(Page 32~35)

5. Pin assignment of TBGA A3 ball is changed.

(before) N.C --> (after) Vss

6. Pin assignment of WSOP #38 pin is changed.

(before) LOCKPRE --> (after) N.C

2.0

1. The Maximum operating current is changed.

Program : Icc2 20mA-->25mA

Erase : Icc3 20mA-->25mA

Jan. 17th 2003

Preliminary

2.1

2.2

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F56XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Mar. 5th 2003

Pb-free Package is added.

K9F5608U0C-FCB0,FIB0

K9F5608Q0C-HCB0,HIB0

K9F5616U0C-HCB0,HIB0

K9F5616U0C-PCB0,PIB0

K9F5616Q0C-HCB0,HIB0

K9F5608U0C-HCB0,HIB0

K9F5608U0C-PCB0,PIB0

Mar. 13rd 2003

2.3

Errata is added.(Front Page)-K9F56XXQ0C

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Mar. 26th 2003

Specification

45 15 25 50 15 25 30

Relaxed value 60 20 40 60 20 40 40

New definition of the number of invalid blocks is added.

2.4

2.5

Apr. 4th 2003

(Minimum 1004 valid blocks are guaranteed for each contiguous 128Mb

memory space.)

Jun. 30th 2003

1. The guidence of LOCKPRE pin usage is changed.

Don’t leave it N.C. Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-

READ, connect it Vss.(Before)

--> Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-READ, connect

it Vss or leave it N.C(After)

2. 2.65V device is added.

3.Note is added.

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

12 3 4 5 6 7...42

中文翻译

下载PDF

与K9F5608D0C-YIB0T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608D0D	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-FCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-FIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-J	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-JCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-JIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608D0D-P	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-PCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

与K9F5608D0C-YIB0T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

42
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F5608D0C-YIB0T

K9F5608D0C-YIB0T 技术参数

K9F5608D0C-YIB0T 数据手册

与K9F5608D0C-YIB0T相关器件

与K9F5608D0C-YIB0T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F5608D0C-YIB0T

K9F5608D0C-YIB0T 技术参数

K9F5608D0C-YIB0T 数据手册

与K9F5608D0C-YIB0T相关器件

与K9F5608D0C-YIB0T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？