是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 部门数/规模: | 2K |
端子数量: | 48 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 512 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2.65 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 16K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 2.65 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NAND TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F5608D0D | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-FCB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-FIB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-J | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-JCB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-JIB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-JIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | |
K9F5608D0D-P | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-PCB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608D0D-PCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |