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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA63,10X12,32 | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 2K |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 16K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F5608Q0C-DIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
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| K9F5608Q0C-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5608Q0C-GCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, |
|
| K9F5608Q0C-GIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
|
| K9F5608Q0C-GIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, |
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| K9F5608Q0C-H | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608Q0C-HCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608Q0C-HCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-63 |
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| K9F5608Q0C-HIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608Q0C-HIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-63 |
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