生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA63,10X12,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
部门数/规模: | 2K | 端子数量: | 63 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA63,10X12,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
页面大小: | 512 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 16K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F5608Q0B-HIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 | |
K9F5608Q0C | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata | |
K9F5608Q0C-D | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata | |
K9F5608Q0C-DCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata | |
K9F5608Q0C-DCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 | |
K9F5608Q0C-DIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata | |
K9F5608Q0C-DIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 | |
K9F5608Q0C-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, | |
K9F5608Q0C-GCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, | |
K9F5608Q0C-GIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |