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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA44,8X14,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B44 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 4,255 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA44,8X14,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 16K,64K | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K8F5615EBM-SE1F | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44 |
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| K8F5615ETM-DC1D | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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| K8F5615ETM-DC1DT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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| K8F5615ETM-DC1E | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
|
| K8F5615ETM-DC1F | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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| K8F5615ETM-DE1C | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
|
| K8F5615ETM-DE1CT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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| K8F5615ETM-DE1D | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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| K8F5615ETM-DE1E0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88 |
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| K8F5615ETM-DE1FT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |
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