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K8F5615ETM-SE1CT

更新时间： 2024-02-17 02:01:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
59页	1497K
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44

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K8F5615ETM-SE1CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FBGA, BGA44,8X14,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	100 ns
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B44	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	4,255	端子数量：	44
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA44,8X14,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

K8F5615ETM-SE1CT 数据手册

K8F56(57)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

256Mb M-die MLC NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Revision 1.2

September, 2006

12 3 4 5 6 7...59

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K8F5615ETM-SE1D	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44
K8F5715EBM-DC1C0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715EBM-DC1D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715EBM-DC1E	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88
K8F5715EBM-DC1E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715EBM-DC1F0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715EBM-DE1CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88
K8F5715EBM-DE1D	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88
K8F5715EBM-DE1E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715EBM-DE1ET	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88

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