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K8F5715EBM-FE1F0

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
59页	1497K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88

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K8F5715EBM-FE1F0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,255	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K8F5715EBM-FE1F0 数据手册

K8F56(57)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

256Mb M-die MLC NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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Revision 1.2

September, 2006

12 3 4 5 6 7...59

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K8F5715EBM-SC1F0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44, 8 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44
K8F5715EBM-SC1FT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44
K8F5715EBM-SE1CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44
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