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K8F5715ETM-DC1C0

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
59页	1497K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

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K8F5715ETM-DC1C0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	部门数/规模：	4,255
端子数量：	88	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm

K8F5715ETM-DC1C0 数据手册

K8F56(57)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

256Mb M-die MLC NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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September, 2006

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K8F5715ETM-DC1FT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88
K8F5715ETM-DE1D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
K8F5715ETM-DE1E	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88
K8F5715ETM-DE1F0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
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