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K8F5715ETM-FC1D0

更新时间： 2024-01-10 01:41:46

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
59页	1497K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88

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K8F5715ETM-FC1D0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	4,255
端子数量：	88	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K8F5715ETM-FC1D0 数据手册

K8F56(57)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

256Mb M-die MLC NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Revision 1.2

September, 2006

12 3 4 5 6 7...59

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