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K7K1618T2C-EC33

更新时间： 2024-02-28 13:04:34

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	401K
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Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165,

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K7K1618T2C-EC33 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
端子数量：	165	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.3 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.8 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K7K1618T2C-EC33 数据手册

K7K1636T2C

K7K1618T2C

512Kx36 & 1Mx18 DDRII+ CIO b2 SRAM

18Mb DDRII+ SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.4 August 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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