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K7K1618U2C-EC400

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	594K
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Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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K7K1618U2C-EC400 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	端子数量：	165
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.35 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.8 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7K1618U2C-EC400 数据手册

K7K1636U2C

K7K1618U2C

512Kx36 & 1Mx18 DDRII+ CIO b2 SRAM

18Mb DDRII+ SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 August 2010

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