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K7J323682C-EI330

更新时间： 2024-01-29 16:54:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	409K
描述
DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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K7J323682C-EI330 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.3 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.7 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

K7J323682C-EI330 数据手册

K7J323682C

K7J321882C

1Mx36 & 2Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

36Mb DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.1 August 2006

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K7J323682C-FC330	SAMSUNG	DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	获取价格
K7J323682C-FI250	SAMSUNG	DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	获取价格
K7J323682C-FI300	SAMSUNG	DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	获取价格
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