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K7J640882M-FC160

更新时间： 2024-02-25 20:13:28

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	184K
描述
DDR SRAM, 8MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7J640882M-FC160 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	17 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

K7J640882M-FC160 数据手册

K7J643682M

K7J641882M

K7J640882M

Preliminary

2Mx36 & 4Mx18 & 8Mx8 DDR II SIO b2 SRAM

Document Title

2Mx36-bit, 4Mx18-bit, 8Mx8-bit DDR II SIO b2 SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Advance

Preliminary

Mar. 9, 2003

Mar. 20, 2003

0.0

1. Initial document.

0.1

1. Correct the JTAG ID register definition

2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value)

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Mar. 2003

Rev 0.1

- 1 -

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7J640882M-FC20	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J640882M-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J640882M-FC25	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J640882M-FC250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J640882M-FC30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J640882M-FC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J641882M	SAMSUNG	获取价格	72Mb M-die DDRII SRAM Specification
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K7J641882M-EC25	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-EC250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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