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K7J641882M-EI25T

更新时间： 2024-01-06 06:36:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	429K
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Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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K7J641882M-EI25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	端子数量：	165
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7J641882M-EI25T 数据手册

K7J643682M

K7J641882M

2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

72Mb DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 March 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7J641882M-EI300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7J641882M-EI30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FC16	SAMSUNG	获取价格	72Mb M-die DDRII SRAM Specification
K7J641882M-FC160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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