Datasheet > K7J641882M-FI160

K7J641882M-FI160

更新时间： 2024-02-21 07:11:50

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	429K
描述
DDR SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7J641882M-FI160 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	17 mm	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

K7J641882M-FI160 数据手册

K7J643682M

K7J641882M

2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

72Mb DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 March 2007

- 1 -

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与K7J641882M-FI160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7J641882M-FI16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FI20	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FI200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J641882M-FI25	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FI25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FI30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-FI300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7J641882M-FI30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M	SAMSUNG	获取价格	72Mb M-die DDRII SRAM Specification
K7J643682M_07	SAMSUNG	获取价格	2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

与K7J641882M-FI160相关文章

BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
2024-06-21

10
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

12
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

8
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7J641882M-FI160

K7J641882M-FI160 技术参数

K7J641882M-FI160 数据手册

与K7J641882M-FI160相关器件

与K7J641882M-FI160相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7J641882M-FI160

K7J641882M-FI160 技术参数

K7J641882M-FI160 数据手册

与K7J641882M-FI160相关器件

与K7J641882M-FI160相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？