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K7J641882M-FI30T

更新时间： 2024-09-21 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	429K
描述
Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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K7J641882M-FI30T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K7J641882M-FI30T 数据手册

K7J643682M

K7J641882M

2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

72Mb DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 March 2007

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与K7J641882M-FI30T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7J643682M	SAMSUNG	获取价格	72Mb M-die DDRII SRAM Specification
K7J643682M_07	SAMSUNG	获取价格	2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM
K7J643682M-EC25	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M-EC25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M-EC30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M-EC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7J643682M-EC30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M-EI160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7J643682M-EI25	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J643682M-EI250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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