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K7J641882M-EI160

更新时间： 2024-02-02 14:15:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	316K
描述
DDR SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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K7J641882M-EI160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA,
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

K7J641882M-EI160 数据手册

K7J643682M

K7J641882M

2Mx36 & 4Mx18 DDR II SIO b2 SRAM

72Mb M-die DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Aug. 2005

Rev 1.0

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7J641882M-EI200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
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K7J641882M-EI25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-EI30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7J641882M-EI300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7J641882M-EI30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
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K7J641882M-FC160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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