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K7J323682M-FC25

更新时间： 2024-01-07 05:18:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	178K
描述
DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7J323682M-FC25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	17 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.25 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.7 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

K7J323682M-FC25 数据手册

K7J323682M

K7J321882M

K7J320882M

Preliminary

1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8 DDR II SIO b2 SRAM

Document Title

1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx8-bit DDR II SIO b2 SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Advance

Preliminary

July, 15 200 1

Dec, 14 2001

0.0

1. Initial document.

0.1

1. Pin name change from DLL to Doff

2. Update JTAG test conditions.

3. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA

4. Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level

5. Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment

6. Deleted R/W control pin description on page 2

Preliminary

July, 29. 2002

Sep. 6. 2002

Oct. 7. 2002

0.2

0.3

0.4

1. Update current characteristics in DC electrical characteristics

2. Change AC timing characteristics

3. Update JTAG instruction coding and diagrams

1. Add AC electrical characteristics.

2. Change AC timing characteristics.

3. Change DC electrical characteristics(ISB1)

1. Change the data Setup/Hold time.

2. Change the Access Time.(tCHQV, tCHQX, etc.)

3. Change the Clock Cycle Time.(MAX value of tKHKH)

4. Change the JTAG instruction coding.

Preliminary

Dec. 16, 2002

Dec. 26, 2002

0.5

0.6

1. Change the Boundary scan exit order.

2. Change the AC timing characteristics(-25, -20)

3. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagrams.

1. Change the JTAG Block diagram

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Dec. 2002

Rev 0.6

- 1 -

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