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K7B403625A-QC90 PDF预览

K7B403625A-QC90

更新时间： 2024-10-01 06:52:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 454K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 9ns, CMOS, PQFP100

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K7B403625A-QC90 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：9 ns
最大时钟频率 (fCLK)：83 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e0
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
端子数量：100字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.05 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.31 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

K7B403625A-QC90 数据手册

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K7B403625A  
K7B401825A  
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Remark  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Preliminary  
Preliminary  
0.0  
0.1  
Initial draft  
jan. 22. 2000  
1. Changed DC condition at Icc and ISB.  
Icc ; from 320mA to 370mA at -65,  
from 300mA to 350mA at -75,  
from 280mA to 330mA at -80,  
from 260mA to 310mA at -90,  
April. 03. 2000  
ISB ; from 130mA to 140mA at -65,  
from 120mA to 130mA at -75,  
from 110mA to 120mA at -80,  
from 100mA to 110mA at -90,  
Final  
1.0  
Final spec release  
May. 15. 2000  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
May 2000  
Rev 1.0  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7B403625A-QC900 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 128KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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