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K7B403225B-QC750

更新时间： 2024-09-30 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	436K
描述
Cache SRAM, 128KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7B403225B-QC750 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	7.5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7B403225B-QC750 数据手册

K7B403625B

K7B401825B

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous SRAM

4Mb Sync. Burst SRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 July 2006

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