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K6X4008T1F-GF70T

更新时间： 2024-01-17 21:54:42

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三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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K6X4008T1F-GF70T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K6X4008T1F-GF70T 数据手册

K6X4008T1F Family

CMOS SRAM

Document Title

512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

Initial Draft

July 29, 2002

Preliminary

0.1

Revised

October 14, 2002

December 2, 2002

March 26, 2003

Preliminary

- Added 55ns product( Vcc = 3.0V~3.6V)

0.2

Revised

- Added Commercial product

0.21

Revised

- Errata correction : corrected commercial product family name from

K6X4008T1F-F to K6X4008T1F-B in PRODUCT FAMILY.

1.0

Finalized

September 16, 2003

Final

- Changed ICC from 4mA to 2mA

- Changed ICC1 from 4mA to 3mA

- Changed ICC2 from 30mA to 25mA

- Changed ISB1(Commercial) from 15µA to 10µA

- Changed ISB1(industrial) from 20µA to 10µA

- Changed ISB1(Automotive) from 30µA to 20µA

- Changed IDR(Commercial) from 15µA to 10µA

- Changed IDR(industrial) from 20µA to 10µA

- Changed IDR(Automotive) from 30µA to 20µA

2.0

Revised

March 7, 2005

Final

- Added lead free product

- Changed ISB1(Automotive) from 20µA to 30µA

- Changed IDR(Automotive) from 20µA to 30µA

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Revision 2.0

March 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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