是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000006 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6X1008T2D-TF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-TF850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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K6X1008T2D-TF85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-TQ70 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-TQ700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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K6X1008T2D-TQ70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-TQ85 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-TQ85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-YQ70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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K6X4008C1F | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM |
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