是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.8,20 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.000006 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6X1008T2D-PF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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K6X1008T2D-PF55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-PF70 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-PF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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K6X1008T2D-PF85 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-PF850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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K6X1008T2D-PQ85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-PQ85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6X1008T2D-Q | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X1008T2D-TB55 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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