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K6X0808T1D-NB70

更新时间： 2024-02-05 02:10:02

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	155K
描述
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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K6X0808T1D-NB70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6X0808T1D-NB70 数据手册

K6X0808T1D Family

CMOS SRAM

Document Title

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

Initial draft

October 09, 2002

Preliminary

0.1

revised

November 08, 2002

Preliminary

- errata : corrected 28-SOP-525 to 28-SOP-450 in pakage type

0.2

1.0

revised

- Added commercial product.

March 27, 2003

Preliminary

Final

Finalized

December 16, 2003

- Changed ICC from 3mA to 2mA

- Changed ICC2 from 25mA to 20mA

- Changed ISB from 3mA to 0.4mA

- Changed ISB1 for K6X0808T1D-F from 10mA to 6mA

- Changed ISB1 for K6X0808T1D-F from 20mA to 10mA

- Changed IDR for K6X0808T1D-F 10mA to 6mA

- Changed IDR for K6X0808T1D-Q 20mA to 10mA

- Errata correction

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and

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Revision 1.0

December 2003

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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