生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSSOP, TSSOP28,.53,22 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 85 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K6X0808T1D-NF850 | SAMSUNG | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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K6X0808T1D-Q | SAMSUNG | 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X0808T1D-YB70 | SAMSUNG | 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X0808T1D-YB700 | SAMSUNG | Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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K6X0808T1D-YB85 | SAMSUNG | 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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K6X0808T1D-YB850 | SAMSUNG | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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